超低能锗探测器特征
• 光谱从 300 eV 到 300 keV
• 与硅（Li）和SDD相比效率高
• 出色的分辨率，高达非常高的计数率
• 高峰值/背景比
超低能锗探测器描述
Mirion Ultra-LEGe探测器将Ge探测器的性能范围扩展到几百电子伏特，提供曾经被认为半导体探测器无法实现的分辨率和峰背景比。Ultra-LEGe保留了锗探测器固有的高能效，因为原子序数（Z）很高，厚度相对较高（5-10毫米），因此涵盖了极宽的能量范围。下图2中的图表将5 mm厚锗探测器的X射线光谱高能侧的效率与典型的硅基探测器进行了比较。
传统的Ge探测器，包括那些专门为低能量制造的探测器，在低于3 keV时，峰值形状和效率都很差。这种特性一度被认为是Ge的基础，因此禁止在大多数分析X射线应用中使用Ge探测器。Mirion开发了探测器制造技术，消除了这些问题。由此产生的探测器，Ultra-LEGe单元，提供锗的固有效率和分辨率优势，而没有传统锗探测器的缺点。
超低能锗探测器应用
• 6Rረ
• XAS （XAFS， EXAFS， XANES）
• X射线光谱
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