锗探测器描述
锗探测器是具有p-i-n结构的半导体二极管，其中本征（i）区域对电离辐射敏感，特别是X射线和伽马射线。在反向偏置下，电场延伸到固有或耗尽区域。当光子与探测器耗尽体积内的材料相互作用时，会产生电荷载流子（空穴和电子），并被电场扫到p和n电极。该电荷与输入光子沉积在检测器中的能量成比例，通过集成电荷敏感前置放大器转换为电压脉冲。
由于锗具有相对较低的带隙，因此必须冷却这些探测器，以便将电荷载流子的热产生（从而反向泄漏电流）降低到可接受的水平。否则，泄漏电流引起的噪声会破坏检测器的能量分辨率。温度为77°K的液氮是此类探测器的常用冷却介质。探测器安装在真空室中，真空室连接到LN或插入LN2杜瓦。因此，敏感的探测器表面可以防止潮湿和可冷凝污染物的侵害。
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