反电极同轴Ge探测器特征
• 光谱范围从 3 keV 到 >10 MeV
• 超薄离子植入触点
• 抗辐射损伤
• 出色的定时分辨率
• 高能量率能力
• 配备智能前置放大器
• 二极管场效应管保护
• 预热/高压关断
• USB 2.0 串行接口
反电极同轴Ge探测器描述
反向电极（REGe）探测器在几何形状上与其他同轴锗探测器相似，但有一个重要区别。REGe检测器的电极与传统的同轴检测器相反，因为p型电极（离子注入硼）位于外部，n型触点（扩散锂）位于内部。这种电极布置有两个优点 - 窗口厚度和抗辐射损伤性。
与锂扩散触点相比，离子注入的外部触点非常薄（0.3μm），使REGe探测器能够覆盖从3 keV到几个MeV的宽能量范围。REGe探测器通常配备碳复合材料窗口，该窗口坚固耐用，可在10 keV以下提供出色的透射率。还提供铍或铝窗。当对低于20 keV的能量不感兴趣并且需要提高坚固性时，铝是首选。应选择铍，以充分利用REGe探测器的低能量能力（低至3 keV）。
已经发现辐射损伤，主要是由于中子或带电粒子，导致锗中的空穴捕获。与传统的同轴探测器不同，孔由REGe探测器的外部电极收集。由于位于给定距离（∆ R）内的活性探测器体积比位于外部接触的给定距离内（体积≈R2）要大得多，因此，平均而言，孔被吸引到外部接触时的行进距离比被吸引到内部接触的距离要小。由于行进距离较短，它们不太可能被困在辐射损坏的材料中。当然，提高抗辐射损伤的程度取决于其他事实，但实验证据表明，REGe探测器的抗损伤能力可能是传统同轴锗探测器的10倍。
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