晶圆和光罩污染标准
晶圆和光掩模污染标准改进您的表面缺陷检测
优质表面缺陷污染标准：
提高您的半导体制造检测系统的整体性能，
减少检查/计量工具组中的不一致，以及
最大限度地提高设备产量
为半导体行业提供晶圆污染标准和掩模版污染标准，以实现一致且可重复的颗粒尺寸和计数控制。MSP 为晶圆和掩模版检测工具提供认证标准，用于开发、鉴定、校准和监控晶圆和掩模版/光掩模检测系统。指定尺寸、成分和数量的颗粒沉积在您选择的基材上，包括晶片、6 英寸光罩（任何类型）和其他不太常见的基材。颗粒可以沉积在 100 毫米到 300 毫米的裸片、薄膜和图案晶圆上。
发展\部署\递送
我们的晶圆和掩模版污染标准用于开发半导体检测工具、工艺工具和制造工艺。它们用于具有检验系统和流程的工厂，用于资格和验收，以及在其使用寿命期间维护设备/流程和性能。MSP 的污染标准支持电子设备的大批量制造 (HVM) 和交付。
Dev-Dep 开发污染标准开发： MSP DEV-DEP开发污染标准
MSP Dev-Dep开发污染标准有助于加速产品和工艺开发。在 MSP 颗粒沉积专家的支持下，这些标准是完全定制的，以满足您应用的独特和具有挑战性的要求。
Qual-Dep 资格污染标准部署： MSP QUAL-DEP资格污染标准
MSP Qual-Dep认证污染标准伴随着安装在半导体工厂中的检测系统。这些是特定于工具的标准，可以可靠地展示现场性能、降低验收风险并帮助匹配系统。OEM 晶圆和掩模版污染标准可以批量购买，具有专用部件号和更低的价格。
Cal-Dep 校准污染标准品交付： MSP CAL-DEP校准污染标准品
检查系统需要在其整个使用寿命期间定期校准，以确保性能一致，这对于作为设备制造中高级过程控制 (APC) 一部分的统计过程控制 (SPC) 至关重要。MSP Cal-Dep校准污染标准是高度准确的标准，可帮助您保持工具的性能，因此您的制造过程可以始终如一地提供高质量的产品。这些晶圆/光掩模污染标准品采用明确定义的配方存放，可以快速生产以实现快速交付。
准确可追溯,精确且可重复
我们的微分迁移率分析仪 (DMA) 精确控制沉积颗粒直径的模式（峰值）和变化。DMA 使用可用的最佳粒径参考材料（包括 NIST 的 PSL 球体）通过 SI 可追溯性进行校准。
MSP 的粒径（10 nm 至 20 μm）和计数（每次沉积 400 至 >100,000 个颗粒）在基材之间具有极高的可重复性。光斑直径（通常为 10-30 毫米）和光斑位置在每个沉积物上都是一致的（可在亚毫米精度下进行调节）。
我们快速的基板处理速度意味着您的污染标准会迅速返回给您。周转速度越快，您的产品开发、认证和校准的速度就越快。
MSP 的晶圆和光罩污染标准满足当今的检测和计量应用，包括：
可追溯校准和匹配旧校准标准
来料裸片检验/鉴定
毯式薄膜监控
来料光罩检验/鉴定
生产光罩监控
检测工具的开发和认证
工艺工具鉴定和监控
