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吉时利Keithley 4200-SCS 参数分析仪,Keithley 4200-SCS半导体测试系统

吉时利Keithley 4200-SCS 参数分析仪,Keithley 4200-SCS半导体测试系统

型号:4200-SCS 类别: 半导体特性测试仪 品牌: pdf资料:吉时利Keithley 4200-SCS 参数分析仪,Keithley 4200-SCS半导体测试系统.pdf

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美国吉时利Keithley  4200-SCS 参数分析仪,

 

适用于材料和设备电气检定的全面解决方案
4200-SCS 是一个模块化、完全集成的参数分析仪,用于执行材料、半导体器件和流程的电气检定。从基本的 I-V 和 C-V 测量扫描到先进的超快脉冲式 I-V、波形捕获和瞬态 I-V 测量,4200-SCS 为研究人员或工程师提供设计、开发或生产所需的关键参数。



美国吉时利Keithley  4200-SCS 参数分析仪,Keithley 4200-SCS半导体测试系统
 

什么是吉时利4200-SCS参数分析仪?

4200-SCS是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。利用9个测量槽和内置低噪声接地单元,您可以根据测试要求或预算限制进行精密配置。

I-V曲线:

直流I-V测量是器件和材料测试的基础。4200-SCS源测量单元(SMU)是高精度源电流或电压以及同步测量电流和电压的精密仪器。4200-SCS提供的宽范围I-V测量包括:亚ρA漏电测量、μΩ电阻测量。

C-V扫描:

电容-电压(C-V)测试广泛用于确定各种半导体参数,例如掺杂浓度和分布、载流子寿命、氧化层厚度、界面态密度等。4200-SCS提供3种C-V法:多频(1kHz~10MHz)C-V、超低频(10mHz~10Hz)C-V和准静态C-V。

栅氧化层:

保持MOS结构栅氧化层的质量和可靠性是半导体圆厂的一项关键任务。电容-电压(C-V)测量通常用于深入研究栅氧化层的质量。4200-SCS配备C- V仪器模块后能简化MOS电容器测量的检验和分析。4200-SCS包括了氧化层厚度、平带电压和阈值电压等常用测量参数。

可靠性:

应力测量检测常用于估计半导体器件的工作寿命和磨损性故障。标准WLR测试包括热载流子注入(HCI)或沟道热载流子(CHC),负偏压温度不稳定性(NBTI)以及与时间有关的介质击穿(TDDB)。这类数据用于评价器件设计和监控制造过程

非易失性存储器:

凭借超快I-V模块的多脉冲波形发生和测量功能,4200-SCS专用于应对尖端的、非易失存储设备的挑战。下面示出强大功能能让您满足几乎所有NVM电池的测试需求。

 

纳米技术:

纳米技术研究分子级物质,一个一个的原子,以建立具有全新特性的结构。现在的研究包括利用碳纳米管、半导体纳米线、有机分子电子和单电子器件的设备。由于 物理尺寸太小,这些器件不能用标准方法测试。4200-SCS参数分析仪具有广泛的测试应用库能让您快速、自信地完成测试。

 

 

高分辨率 IV

210V/100mA,0.1 fA 分辨率
适用于两端器件和三端器件、MOSFET、CMOS 检定
软件包 4200-SCS-PK1 包括:

  • 4200-SCS 型参数分析仪

  • KTEI 测试软件

  • (2) 个 4200-SMU 型模块

  • (1) 个 4200-PA 型预放大器

  • 带有采样装置的测试夹具

  • 电缆

 

高分辨率 IV 和 CV

210V/100mA,0.1 fA 分辨率,1kHz - 10MHz
对于高 K 电介质,为深度亚微米 CMOS 检定
软件包 4200-SCS-PK2 包括:

  • 4200-SCS 型参数分析仪

  • KTEI 测试软件

  • (2) 个 4200-SMU 型模块

  • (1) 个 4200-PA 型预放大器

  • (1) 个 4210-CVU 型模块

  • 带有采样装置的测试夹具

  • 电缆

高分辨率和高功率 IV 和 CV

210V/1A,0.1 fA 分辨率,1kHz - 10MHz
对于功率器件、高 K 电介质,为深度亚微米 CMOS 器件检定
软件包 4200-SCS-PK3 包括:

  • 4200-SCS 型参数分析仪

  • KTEI 测试软件

  • (2) 个 4200-SMU 型模块

  • (2) 个 4210-SMU 型

  • (1) 个 4200-PA 型预放大器

  • (1) 个 4210-CVU 型模块

  • 带有采样装置的测试夹具

  • 电缆

 

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